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文档 |
Passivation Material 14/May/2008 |
Rohs | Lead free / RoHS Compliant |
标准包装 | 50 |
FET 型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
FET特点 | Standard |
漏极至源极电压(VDSS) | 500V |
电流-连续漏极(编号)@ 25°C | 9A |
Rds(最大)@ ID,VGS | 800 mOhm @ 4.5A, 10V |
VGS(TH)(最大)@ Id | 4V @ 250µA |
栅极电荷(Qg)@ VGS | 35nC @ 10V |
输入电容(Ciss)@ Vds的 | 1030pF @ 25V |
功率 - 最大 | 44W |
安装类型 | Through Hole |
包/盒 | TO-220-3 Full Pack |
供应商器件封装 | TO-220F |
包装材料 | Tube |
包装 | 3TO-220F |
通道模式 | Enhancement |
最大漏源电压 | 500 V |
最大连续漏极电流 | 9 A |
RDS -于 | 800@10V mOhm |
最大门源电压 | ±30 V |
典型导通延迟时间 | 18 ns |
典型上升时间 | 65 ns |
典型关闭延迟时间 | 93 ns |
典型下降时间 | 64 ns |
工作温度 | -55 to 150 °C |
安装 | Through Hole |
标准包装 | Rail / Tube |
FET特点 | Standard |
封装 | Tube |
安装类型 | Through Hole |
电流 - 连续漏极(Id ) @ 25 °C | 9A (Tc) |
的Vgs(th ) (最大)@ Id | 4V @ 250µA |
漏极至源极电压(Vdss) | 500V |
供应商设备封装 | TO-220F |
开态Rds(最大)@ Id ,V GS | 800 mOhm @ 4.5A, 10V |
FET型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
功率 - 最大 | 44W |
封装/外壳 | TO-220-3 Full Pack |
输入电容(Ciss ) @ VDS | 1030pF @ 25V |
闸电荷(Qg ) @ VGS | 35nC @ 10V |
RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
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